SI1557DH-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1557DH-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Leistung - max | 470mW |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.2A, 770mA |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | SI1557 |
SI1557DH-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI1557DH-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI1555DL-T1 VISHAY
SI1555DL-T1-GE3 VISHAY
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6
VBSEMI SC88
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
VISHAY SOT-363
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
VISHAY SOT363
Si1557DH-T1-GE3 VISHAY
SI1555 VIHSAY
VISHAY sot163
VISHAY SOT363
MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6
SI1555DL VISHAY
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
2024/04/4
2024/05/15
2024/03/19
2024/07/2
SI1557DH-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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